0 Item(s)
0 Item(s)
Electro-Films (EFI) / Vishay
| অংশ সংখ্যা | SI4477DY-T1-GE3 | উত্পাদক | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| বিবরণ | MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC | লিড ফ্রী স্থিতি / RoHS স্থিতি | লিড ফ্রি / RoHS সঙ্গতিপূর্ণ |
| পরিমান সরবরাহযোগ্য | 93710 pcs | তথ্য তালিকা | SI4477DY-T1-GE3.pdf |
| Vgs (ত) (সর্বোচ্চ) @ আইডি | 1.5V @ 250µA | Vgs (সর্বোচ্চ) | ±12V |
| প্রযুক্তি | MOSFET (Metal Oxide) | সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ | 8-SO |
| ক্রম | TrenchFET® | আরডিএস অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিএসএস | 6.2 mOhm @ 18A, 4.5V |
| শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ) | 3W (Ta), 6.6W (Tc) | প্যাকেজিং | Tape & Reel (TR) |
| প্যাকেজ / কেস | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | অন্য নামগুলো | SI4477DY-T1-GE3-ND SI4477DY-T1-GE3TR SI4477DYT1GE3 |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55°C ~ 150°C (TJ) | মাউন্ট টাইপ | Surface Mount |
| আর্দ্রতা সংবেদনশীলতা স্তর (এমএসএল) | 1 (Unlimited) | লিড ফ্রি স্ট্যাটাস / RoHS অবস্থা | Lead free / RoHS Compliant |
| ইনপুট ক্যাপ্যাসিট্যান্স (সিস) (সর্বোচ্চ) @ ভিডিএস | 4600pF @ 10V | গেট চার্জ (QG) (সর্বোচ্চ) @ Vgs | 190nC @ 10V |
| FET প্রকার | P-Channel | FET বৈশিষ্ট্য | - |
| ড্রাইভ ভোল্টেজ (উপর Max Rds, উপর Min Rds) | 2.5V, 4.5V | উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss) | 20V |
| বিস্তারিত বিবরণ | P-Channel 20V 26.6A (Tc) 3W (Ta), 6.6W (Tc) Surface Mount 8-SO | বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেলসিয়াস | 26.6A (Tc) |
| FedEx | www.FedEx.com | $ 35.00 থেকে বেসিক শিপিং ফি অঞ্চল এবং দেশের উপর নির্ভর করে। |
|---|---|---|
| ডিএইচএল | www.DHL.com | $ 35.00 থেকে বেসিক শিপিং ফি অঞ্চল এবং দেশের উপর নির্ভর করে। |
| ইউ। পি। এস | www.UPS.com | $ 35.00 থেকে বেসিক শিপিং ফি অঞ্চল এবং দেশের উপর নির্ভর করে। |
| টিঅ্যান্ডটি | www.TNT.com | $ 35.00 থেকে বেসিক শিপিং ফি অঞ্চল এবং দেশের উপর নির্ভর করে। |
