0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| অংশ সংখ্যা | RN1901,LF(CT | উত্পাদক | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| বিবরণ | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | লিড ফ্রী স্থিতি / RoHS স্থিতি | লিড ফ্রি / RoHS সঙ্গতিপূর্ণ |
| পরিমান সরবরাহযোগ্য | 1355843 pcs | তথ্য তালিকা | RN1901,LF(CT.pdf |
| ভোল্টেজ - কালেক্টর এমটার ব্রেকআন (সর্বোচ্চ) | 50V | ভেস স্যাচুরেশন (সর্বোচ্চ) @ আইবি, আইসি | 300mV @ 250µA, 5mA |
| ট্রানজিস্টার প্রকার | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ | US6 |
| ক্রম | - | প্রতিরোধক - এমটার বেস (R2) | 1 kOhms |
| প্রতিরোধক - বেস (R1) | 4.7 kOhms | শক্তি - সর্বোচ্চ | 200mW |
| প্যাকেজিং | Tape & Reel (TR) | প্যাকেজ / কেস | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| অন্য নামগুলো | RN1901(T5L,F,T) RN1901(T5LFT)TR RN1901(T5LFT)TR-ND RN1901,LF(CB RN1901LF(CTTR |
মাউন্ট টাইপ | Surface Mount |
| আর্দ্রতা সংবেদনশীলতা স্তর (এমএসএল) | 1 (Unlimited) | প্রস্তুতকারকের স্ট্যান্ডার্ড লিড সময় | 10 Weeks |
| লিড ফ্রি স্ট্যাটাস / RoHS অবস্থা | Lead free / RoHS Compliant | ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর | 250MHz |
| বিস্তারিত বিবরণ | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6 | ডিসি বর্তমান লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেস | 30 @ 10mA, 5V |
| বর্তমান - কালেক্টর Cutoff (সর্বোচ্চ) | 100nA (ICBO) | বর্তমান - কালেক্টর (আইসি) (সর্বোচ্চ) | 100mA |
| FedEx | www.FedEx.com | $ 35.00 থেকে বেসিক শিপিং ফি অঞ্চল এবং দেশের উপর নির্ভর করে। |
|---|---|---|
| ডিএইচএল | www.DHL.com | $ 35.00 থেকে বেসিক শিপিং ফি অঞ্চল এবং দেশের উপর নির্ভর করে। |
| ইউ। পি। এস | www.UPS.com | $ 35.00 থেকে বেসিক শিপিং ফি অঞ্চল এবং দেশের উপর নির্ভর করে। |
| টিঅ্যান্ডটি | www.TNT.com | $ 35.00 থেকে বেসিক শিপিং ফি অঞ্চল এবং দেশের উপর নির্ভর করে। |
